Akoustis apresenta novo e avançado AlScN de cristal único na tecnologia Si Wafer XBAW®

Desenvolvimento plurianual com a DARPA impulsiona a diferenciação da tecnologia BAW central

Material avançado de cristal único oferece melhor manuseio de energia e harmônicos

Permite um caso de uso mais amplo para a tecnologia BAW em aplicações de alta potência

Charlotte, NC, 27 de julho de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) -- Akoustis Technologies, Inc. (NASDAQ: AKTS) (“Akoustis” ou a “Empresa”), um fabricante de dispositivos integrados (IDM) de ondas acústicas em massa patenteadas (BAW) filtros de RF de banda alta para aplicações móveis e outras aplicações sem fio, anunciou hoje que desenvolveu um novo material XBAW® de cristal único avançado usando nitreto de escândio de alumínio (AlScN) epitaxial (EPI) em wafer de silício. Este novo material foi desenvolvido com financiamento da Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) para escalar a tecnologia XBAW® para frequências de até 18 GHz. A Empresa planeja começar a amostragem de filtros usando o novo material monocristalino no trimestre atual.

Akoustis redesenvolveu seu nanomaterial avançado de cristal único que fornece filtros BAW com maior potência e harmônicos aprimorados em relação à tecnologia de policristal existente. O manuseio de maior potência oferece aos clientes a capacidade de projetar produtos com maior potência de transmissão e, consequentemente, maior alcance e penetração de obstruções. Harmônicos aprimorados reduzem as emissões espúrias fora de banda indesejadas que poderiam causar interferência ou falhar na aprovação da FCC e de outros padrões. O desenvolvimento do novo material monocristalino depende significativamente de muitas das patentes e segredos comerciais fundamentais da Empresa.

Jeff Shealy, fundador e CEO da Akoustis, afirmou: “A produção deste novo material monocristalino é o culminar de muitos anos de engenharia e foi possibilitada através da nossa forte parceria com a DARPA, que reconheceu a nossa tecnologia através do seu apoio contínuo”. O Sr. Shealy continuou: “Este novo material oferece melhorias significativas em relação ao que pode ser alcançado hoje em nossas tecnologias de policristais, com vantagens no manuseio de energia e harmônicos aprimorados. Esperamos que este novo material proporcione melhor desempenho em BAW em dispositivos móveis 5G, infraestrutura móvel 5G, Wi-Fi, automotivo, defesa e outros mercados.”

A Akoustis continua enfrentando forte demanda e um funil de vendas crescente para seus produtos de infraestrutura Wi-Fi, 5G móvel e 5G, bem como para seus novos produtos ressonadores e osciladores XBAW®/SAW e serviços back-end de semicondutores. Durante o trimestre de junho, a empresa enviou amostras de seus novos produtos de filtro Wi-Fi 6E/7 XBAW® de 5,6 GHz/6,6 GHz para vários clientes. Akoustis continua a adicionar novos designs de Wi-Fi, muitos dos quais deverão entrar em produção no calendário de 2023.

Sobre Akoustis Technologies, Inc.

Akoustis® (http://www.akoustis.com/) é uma empresa de soluções de filtros de RF BAW de alta tecnologia que é pioneira na ciência de materiais de próxima geração e na fabricação de wafers MEMS para atender às necessidades do mercado para filtros de RF aprimorados - visando maior largura de banda, frequências operacionais mais altas e maior potência de saída em comparação com a tecnologia BAW policristalina legada. A empresa utiliza seu processo de fabricação proprietário e patenteado XBAW® para produzir filtros de RF de ondas acústicas em massa para mercados móveis e outros mercados sem fio, que facilitam a aquisição de sinal e aceleram o desempenho da banda entre a antena e o back-end digital. O desempenho superior é impulsionado pelos avanços significativos de materiais piezoelétricos de policristal, monocristalino e outros materiais piezoelétricos de alta pureza e pela tecnologia de processo de filtro ressonador que permite compensações ideais entre especificações críticas de potência, frequência e desempenho de largura de banda.

A Akoustis planeja atender o mercado multibilionário de filtros de RF, em rápido crescimento, usando seu modelo de negócios de fabricante de dispositivos integrados (IDM). A Empresa possui e opera uma instalação comercial de fabricação de wafers de 120.000 pés quadrados com registro ISO-9001:2015 localizada em Canandaigua, NY, que inclui uma instalação de sala limpa classe 100/classe 1000 - preparada para wafers de 150 mm de diâmetro - para o projeto , desenvolvimento, fabricação e embalagem de filtros de RF, MEMS e outros dispositivos semicondutores. está sediada no corredor de tecnologia de Piemonte, perto de Charlotte, Carolina do Norte.